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Ingénieur.e de Recherche en Epitaxie par Jets Moléculaires pour Applications Optroniques (H/F)

Le 25 mars

Critères de l'offre

  • Ingénieur (H/F)
  • Palaiseau (91)
  • CDI
  • Temps Plein
  • Secteur : Systémier / Maître d'œuvre
  • Expérience requise : 1-2 ans
  • Niveau d'études : CAP Aéronautique Option Structure

L'entreprise : THALES

QUI SOMMES-NOUS ?

Situé sur le campus de l'École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d'envergure mondiale de Paris-Saclay, le site de Palaiseau regroupe les activités de Thales Research & Technology (TRT), le centre de recherche du Groupe, et de ThereSIS (THALES European REsearch center for Security & Information Systems) au service des activités mondiales du Groupe. Grâce à une politique de partenariat proactive avec le monde académique et un réseau international d'entreprises innovantes, nos équipes de recherche de TRT développent des technologies de rupture et celles de ThereSIS sont dédiées à la sécurisation des systèmes d'information, à l'ingénierie des systèmes complexes et aux technologies innovantes de la transformation numérique afin d'obtenir rapidement des résultats répondant à des demandes opérationnelles concrètes.

Le poste s'inscrit au sein du III-V Lab, un laboratoire de recherche industriel constitué en GIE par ses 3 Membres de tutelle : Thales, Nokia et le CEA. Le III-V Lab conduit des activités de recherche, développement et fabrication sur les composants microélectronique et optoélectronique à base de semi-conducteurs III-V pour différents domaines d'application (télécommunications, défense, sécurité, spatial etc.).

Dans ce cadre nous recherchons un.e :
Ingénieur.e de Recherche en Epitaxie par Jets Moléculaires pour Applications Optroniques (H/F)
Basé.e à Palaiseau (91)

Description du poste

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

En nous rejoignant vous intégrerez le GIE III-V Lab et vous aurez pour missions de :
Participer au bon fonctionnement de l'activité d'épitaxie par jets moléculaires (gestion de l'équipement, des consommables, relations avec les fournisseurs, organisation des campagnes d'épitaxie, des maintenances, etc…) et des caractérisations associées.

Assurer la fourniture des structures épitaxiales répondant aux spécifications des clients internes (équipes projets) et externes au III-V Lab. Apporter une analyse critique et être force de propositions sur les demandes de structures/composants.

Maintenir et développer l'expertise technique dans les domaines de l'épitaxie par jets moléculaires, de l'ultra-vide et des couches minces semi-conductrices.

Participer à l'innovation dans les domaines des matériaux et des composants semi-conducteurs III-V au sein de l'équipe Plateforme Epitaxie.

Participer aux tâches communes de l'Equipe Epitaxie (caractérisations matériaux, suivi des équipements, des infrastructures…).

Contribuer au rayonnement du laboratoire au travers de collaborations avec des partenaires académiques et de publications scientifiques.

Innovation, passion, ambition : rejoignez Thales et créez le monde de demain, dès aujourd'hui.

Description du profil

QUI ETES-VOUS ?
De formation Ingénieur.e ou équivalente, vous avez réalisé une thèse en physique des matériaux, physique des semi-conducteurs ?

Vous justifiez d'une première expérience dans le domaine de l'élaboration de composés III-V par epitaxie par jets moléculaires ?

Vos différentes expériences vous ont permis d'acquérir des compétences dans les domaines suivants :
Techniques d'Epitaxie

Elaboration et caractérisation des matériaux semi-conducteurs

Physique des matériaux et composants semi-conducteurs

Vous faite preuve d'organisation et de rigueur dans votre travail ?

Vous aimez travailler en équipe et vos collègues disent de vous que vous avez un excellent sens de la communication ?

Enfin vous souhaitez évoluer dans un milieu international et de ce fait parler couramment anglais (Niveau C1 attendu) ?

Alors n'hésitez plus et découvrez vos futures missions !

Salaire et avantages

Salaire : Salaire selon profil


Référence : 34444055


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